在進步芯片得片率的一起，大尺度襯底還能進步單機芯片產出。因為MOCVD設備報價非常貴重，所以進步單機芯片產值也是下降LED芯片本錢的首要路徑之一。選用大尺度襯底能夠大幅進步每個次序的芯片產值，選用6英寸襯底每個次序的芯片產值比2英寸襯底進步55%。

    在此基礎上，我們選用改良KY法技能，突破了傳統的C向長晶法，http://www.fssuifeng.cn  不光將商品做到了大公斤等級，并且晶體質量到達A向長晶同等乃至更優水平。經過對90kg晶體系統的測驗及客戶的反應發現，晶體的功能一致性及穩定性好，開爐合格率高達85%以上，位錯密度區別很小。

    A向長晶，C向掏棒，襯底每個點上的成長時間跨度大，張力和應力相差也較大;C向長晶，C向掏棒，襯底上張力和應力都較小。實驗標明，改良KY法 90kg晶體制造的襯底磊晶過程中彎曲度和翹曲度表現優于A向長晶。一起，晶棒最長可超越300mm，關于多線切割機來說正巧匹配，無需進行多根晶棒粘結，大大進步切片功率及一致性，節省了本錢。

    當前，C向長晶最大已經能制造12英寸C向襯底及部件，能夠大幅提高LED外延芯片的出產功率和本錢競爭力。 斯諾光電：http://www.fssuifeng.cn